"Qualcomm" şirkəti mobil şəbəkələrdə məlumatları 1,2 giqabit/saniyəyədək sürətində ötürən "X20 LTE" modeminin ilk nümunələrini nümayiş etdirib. Çiplər qabaqcıl 10 nanometrlik texnoloji prosesin normalarına riayət edilməklə hazırlanıb.
"ICTnews" Elektron Xəbər Xidməti "Macdigger" resursuna istinadən yazır ki, söhbət şirkətin yeddinci nəsil çoxrejimli "LTE" modemlər həllindən və onun ikinci nəsil giqabit "LTE" həllərindən gedir. Sənayedə ilk dəfə olaraq "LTE Category 18" texnologiyasının kommersiya dəstəyini təmin edən modem maksimal yükləmə sürətini 1,2 giqabit/saniyəyədək çatdırır.
Bundan başqa, modem "FDD" və "TDD" radiotezliklərinin azalan rabitə xətləri üçün 5 × 20 MHs tezlik daşıyıcıları birləşməsini (Carrier Aggregation - CA) dəstəkləyir. "Snapdragon X20 LTE" 3 "LTE" tezlik daşıyıcısı üzərindən 4 × 4 MIMO rejiminin işini təmin edən ilk birçipli kommersiya həllidir. Bunun nəticəsində eyni anda 12-dək boş "LTE" məlumat axınının (hər biri 100 meqabit/saniyəyədək) qəbulu mümkün olur.
"X20 LTE", həmçinin "Snapdragon" "LTE" modemləri arasında ilk dəfə olaraq "Dual SIM Dual VoLTE" (DSDV) texnologiyasının işini dəstəkləyir. "Snapdragon X20 LTE" ilə təmin edilən istifadəçidən baza stansiyasına maksimal məlumat ötürmənin sürəti 150 meqabit/saniyə təşkil edir.
"Snapdragon X20 LTE" bütün əsas mobil rabitə texnologiyalarını (LTE FDD, LTE TDD, WCDMA, TD-SCDMA, EV-DO, CDMA 1x və GSM/EDGE), eləcə də "EVS" kodeki vasitəsilə keyfiyyətli "Ultra HD Voice" səsli rabitəsini dəstəkləyən "LTE Broadcast" və "VoLTE" texnologiyalarını dəstəkləyir. Qırx tezlik zolağı ilə uyğunluq təşkil edən modem mindən çox tezlik daşıyıcı birləşməsi variantına malikdir.
"Qualcomm" nümayəndələri qeyd ediblər ki, yeni çip simsiz internetdə optik-lif şəbəkələrinin göstəricilərinə yaxın sürət və keyfiyyətə nail olmağa imkan verir.
Nizam Nuriyev
