"ICTnews" Elektron Xəbər Xidməti "hi-news.ru" saytına istinadən yazır ki, alimlər öz işləməsində yarımkeçiriciləri sərbəst elektronlarla əvəz ediblər. Texnologiyanın əsasını xüsusi qızıl meta səthiliyə malik sərbəst elektronlar buraxan qurğu təşkil edir. Bu meta səthilik "göbələk" formasında əvəzlənən qızıl zolaqlardan ibarətdir. Konstruksiya silisium dioksidlə örtülmüş platformada yerləşir.
Bu konstruksiyaya 10 voltluq gərginlik və infraqırmızı lazer işığı dəstəsi verildikdə meta səthilikdə yüksəkgərginlikli sahələr yaranır. Beləliklə, təsir nəticəsində elektronlar öz məkanlarını tərk etməyə başlayırlar ki, bu da elektrik keçiriciliyinin artımına səbəb olur.
Kaliforniya alimləri tərəfindən yaradılmış qurğu mikroelektronika sahəsində yeni səhifə aça bilər, belə ki, müxtəlif tipli meta səthilik üzərində təcrübə aparmaqla bütün mövcud yarımkeçirici struktur analoqların yaradılması mümkündür.
Emil Hüseynov
